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Electronic properties of nanoscale silver crystals at the interface of silver thick film contacts on n-type silicon

dc.contributor.authorKontermann, Stefan
dc.contributor.authorWilleke, Gerhard
dc.contributor.authorBauer, Jan
dc.contributor.otherFachbereich Ingenieurwesen
dc.date.accessioned2025-11-25T11:21:21Z
dc.date.available2025-11-25T11:21:21Z
dc.date.issued2010-11-11
dc.identifier.urihttps://hlbrm.pur.hebis.de/xmlui/handle/123456789/405
dc.format.extent3 Seiten
dc.language.isoen
dc.publisherAIP Publishing
dc.relation.ispartofApplied Physics Letters
dc.rights.urihttps://rightsstatements.org/page/InC/1.0/
dc.subjectContact impedance
dc.subjectElectrical properties and parameters
dc.subjectCurrent crowding
dc.subjectElectric measurements
dc.subjectTelecommunications engineering
dc.subjectAtomic force microscopy
dc.subjectTransition metals
dc.subjectChemical elements
dc.subjectPotential energy barrier
dc.subjectDoping
dc.subject.ddc600 Technik::620 Ingenieurwissenschaften
dc.titleElectronic properties of nanoscale silver crystals at the interface of silver thick film contacts on n-type silicon
dc.typeAufsatz
pur.source.volume97
pur.source.issue19
dc.description.versionPublished Version
pur.source.articlenumber191910
pur.source.date2010
dc.identifier.doi10.1063/1.3508950
dc.identifier.urlhttps://doi.org/10.1063/1.3508950
pur.peerReviewtrue
pur.scientifictrue
pur.typeDCMIText


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